| 材料 | N-FET硅N沟道 |
|---|---|
| 电流 | -1.5A |
| 电压 | -20V |
| 用途 | S/开关 |
| 种类 | 绝缘栅（MOSFET） |
| 最大耗散功率 | 0.5W |
| 沟道类型 | 双N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 品牌 | Toshiba/东芝 |
| 型号 | SSM6P39TU |
| 加工定制 | 否 |
SSM6P39TU,SOT-323-6,TOSHIBA,SMD/MOS,双P,-20V/-20V,-1.5A/-1.5A,0.213Ω
对管MOS：
SSM6N37FU,SOT-323-6,TOSHIBA,SMD/MOS,双N,20V/20V,0.25A/0.25A,2.2Ω
SSM6L36TU,SOT-323-6,TOSHIBA,SMD/MOS,N+P场,20/-20V,0.5A/-0.33A,0.66Ω/1.31Ω
SSM6L10TU,SOT-323-6,TOSHIBA,SMD/MOS,N+P场,20/-20V,0.5A/-0.5A,0.145Ω/0.23Ω
SSM6N39TU,SOT-323-6,TOSHIBA,SMD/MOS,双N,20V/20V,1.6A/1.6A,0.119Ω
